全球SiC和GaN功率器件行业数据及市场调研分析报告-研精毕智调研报告网 -

概述

调研大纲

在全球半导体产业加速迭代的背景下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，凭借其独特的宽禁带特性，正成为新能源汽车、5G通信、人工智能等战略领域的关键材料。SiC和GaN功率器件以高耐压、高频率、低损耗等优势，推动全球产业链格局重塑，成为各国科技竞争的新焦点。

产业链结构

上游材料

SiC和GaN功率器件的上游主要包括衬底材料和外延片的生产。衬底材料方面，SiC衬底技术门槛最高，占器件成本的比例较大。目前，6英寸衬底已成为主流，8英寸量产加速。国内企业在衬底制造方面取得显著进展，天科合达、天岳先进等企业已跻身全球前列，打破了美国企业的垄断。GaN材料方面，硅基氮化镓（GaN-on-Si）因成本优势成为主流，国内企业如英诺赛科在8英寸产线量产方面取得突破，推动成本持续下降。

中游器件制造

中游器件制造环节包括设计、制造和封装测试。国内企业形成“IDM模式为主、代工协同”的竞争格局。比亚迪半导体、中车时代半导体等头部企业实现设计-制造-封测一体化，芯联集成、积塔半导体等代工厂快速崛起。在GaN领域，国内企业如英诺赛科、纳微半导体（中国）等快速崛起，产品覆盖消费电子、汽车等场景。

下游应用

下游应用领域广泛，包括新能源汽车、光伏发电、工业与轨道交通、5G通信、数据中心等。新能源汽车是SiC和GaN功率器件最大的应用市场，随着800V高压平台在电动车中的渗透率提升，SiC电驱成为主流选择。GaN器件在消费电子快充、数据中心电源等领域占据先机，并逐步向高功率领域突破。

细分市场

根据研究报告数据显示，SiC 功率模块是核心增长引擎，2024 年销售额达 4.763 亿美元，预计 2034 年将增至 36.4 亿美元，CAGR 达 22.6%；GaN 功率器件目前占 GaN 整体市场的 15%，但增速远超射频器件，成为行业新增长点。美国市场以 23.4% 的 CAGR 领跑，2024 年规模 1.50 亿美元，预计 2034 年达 12.2 亿美元；中国市场紧随其后，2024 年规模 1.54 亿美元，2034 年将达 12.1 亿美元，CAGR 22.9%，强大的制造能力与消费需求成为核心驱动力；规模效应与技术进步推动成本持续下降，SiC 晶圆价格尤为显著，7 英寸 SiC 晶圆成本从 2018 年的 3000 美元降至 2024 年的 850 美元，6 英寸 SiC 晶圆价格 2024 年较 2023 年下降 40%。

产品类型

SiC和GaN功率器件市场涵盖多种产品类型，主要包括二极管、晶体管、功率模块等。其中，GaN功率器件又可细分为GaN晶体管、GaN二极管和GaN集成电路。GaN晶体管以其优异的开关性能和低导通电阻，广泛应用于高频、高功率应用场景；GaN二极管则以其快恢复特性，在整流、快充等领域发挥重要作用；GaN集成电路则是将GaN器件与控制电路集成在一起，进一步简化电路设计，提高系统性能。

未来展望

未来五年，SiC和GaN功率器件市场将呈现“技术红利期”与“政策红利期”的双重叠加。随着新能源革命深化、智能制造升级以及“双碳”战略落地，SiC和GaN功率器件将成为重塑全球半导体格局的关键力量。预计到2030年，全球SiC和GaN功率器件市场规模将达到数百亿美元，展现出巨大的市场潜力。